产品描述

适合频率不限 导电方式绝缘 规格不限 工作电压不限 用途范围不限

公司具有多年的销售配套经验,已具备为不同客户提供配套服务的能力。公司竭诚为各厂商,电子爱好者,科研单位,维修部门提供整机配套,批发零售服务。信誉,以客户需求为导向;为客户负责为准则、与客户共成长、共同双赢是我们公司的经营理念!
各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国*的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过,中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
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IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏极电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏极电流的关断时间。
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IGBT 在开通过程中,大部分时间是作为MOSFET 来运行的,只是在漏源电压Uds 下降过程后期, PNP 晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间,tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和,漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
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正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限,远远不能满足电力电子应用技术发展的需求;高压领域的许多应用中,要求器件的电压等级达到10KV以上,只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。
我们始终把“客户的满意评价视为我们工作的标准”作为服务宗旨,始终坚持以客户的需求和满意为核心,从而使公司和不断发展壮大,并赢得更大的市场份额,成为行业中的者。
http://www.huishouigbt.com

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