1、一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5℃~35℃,常湿的规定为45%~75%。在冬天特别干燥的地区,需要加湿机加湿。2、尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的..
方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)..
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