产品描述

适合频率不限 导电方式绝缘 规格不限 工作电压不限 用途范围不限

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正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限,远远不能满足电力电子应用技术发展的需求;高压领域的许多应用中,要求器件的电压等级达到10KV以上,只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。
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回收三菱IGBT:三菱IGBT模块 是一种N沟道增强型场控(电压)复合元件,它属于少子元件类,兼有功率MOSFET和双极性元件的优点:输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽、饱和压降低(甚至接近GTR的饱和压降)、耐压高、电流大。IGBT有望用于直流电压为1500V的高压变流系统中。
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IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国*的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过,中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
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http://www.huishouigbt.com

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