适合频率不限
导电方式绝缘
规格不限
工作电压不限
用途范围不限
公司具有多年的销售配套经验,已具备为不同客户提供配套服务的能力。公司竭诚为各厂商,电子爱好者,科研单位,维修部门提供整机配套,批发零售服务。信誉,以客户需求为导向;为客户负责为准则、与客户共成长、共同双赢是我们公司的经营理念!
IGBT 在开通过程中,大部分时间是作为MOSFET 来运行的,只是在漏源电压Uds 下降过程后期, PNP 晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间,tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和,漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
IGBT特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
产品广泛应用于民用、工业等对电子产品具有不同要求的领域。 为国内外厂家、经销商提供的服务。交货快捷以诚为本,备有大量库存,质量可靠,价格优惠,型号齐全,用心服务每位客户。
http://www.huishouigbt.com