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在电力电子里面,重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。
一说起IGBT,半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛,都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路制造一样,是国家“02专项”的重点扶持项目,这玩意是现在目前功率电子器件里技术的产品,已经全面取代了传统的Power MOSFET,其应用非常广泛,小电、大到飞机、舰船、交通、电网等性产业,被称为电力电子行业里的“CPU”,长期以来,该产品(包括芯片)还是被垄断在少数IDM手上(FairChild、Infineon、TOSHIBA),位居“十二五”期间国家16个重大技术突破专项中的第二位(简称 “02专项”)。
IGBT的种类有哪些?
绝缘栅双极晶体AD795JR管根据其结构主要分为N沟道IGBT和P沟道IGBT管两大类。
IGBT的开关损耗与MOSFET相比有什么不同?
开关损耗主要包括关断时的损耗(关断损耗)和开通时的损耗(开通损耗)。在常温下,IGBT和MOSFET的关断损耗差不多。IGBT开通损耗的平均值比MOSFET咯小。MOSFET的开通损耗与温度关系不大,而对于IGBT,温度每增加100℃,损耗增加2倍。两种器件的开关损耗与电流相关,电流越大,损耗越高。
回收英飞凌IGBT:来自市场调研的数据显示,在全球电源半导体市场中,英飞凌科技以9.4%的市场份额占据榜首。其中,大功率半导体总量、大功率模块、大功率整流器、大功率晶闸管、分立及压力接触式IGBT、分立保护等产品全球排名。而大功率晶体管总量、大功率模块总量、IGBT模块总量和标准IGBT模块则排名全球第二。
回收英飞凌IGBT:英飞凌模块具有低饱和压降、高频率的特点。西门子 电力半导体器件广泛应用于发电、输配电、电气传动、牵引、电力系统,家用电器、新能源、汽车电子等电力电子设备中。
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