结构形式模块式
安装方式控制室安装
加工定制是
厂家深圳
可售卖地全国
本公司长期回收英飞凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT,回收功率模块,回收个人剩余IGBT模块,回收项目多余IGBT,回收全新IGBT,收购全部型号。
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗,发热加剧,选用时应该降等使用。
IGBT模块由于具有多种优良的特性,使它得到了快速的发展和普及,已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能,了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。
一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方; 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因。
我们始终把“客户的满意评价视为我们工作的标准”作为服务宗旨,始终坚持以客户的需求和满意为核心,从而使公司和不断发展壮大,并赢得更大的市场份额,成为行业中的者。
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