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所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。
IGBT的种类有哪些？
绝缘栅双极晶体AD795JR管根据其结构主要分为N沟道IGBT和P沟道IGBT管两大类。
IGBT的开关损耗与MOSFET相比有什么不同？
开关损耗主要包括关断时的损耗（关断损耗）和开通时的损耗（开通损耗）。在常温下，IGBT和MOSFET的关断损耗差不多。IGBT开通损耗的平均值比MOSFET咯小。MOSFET的开通损耗与温度关系不大，而对于IGBT，温度每增加100℃，损耗增加2倍。两种器件的开关损耗与电流相关，电流越大，损耗越高。
作为电力电子重要大功率主流器件，IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面，如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面，IGBT用于家用电器、相机和手机。
回收英飞凌IGBT：来自市场调研的数据显示，在全球电源半导体市场中，英飞凌科技以9.4%的市场份额占据榜首。其中，大功率半导体总量、大功率模块、大功率整流器、大功率晶闸管、分立及压力接触式IGBT、分立保护等产品全球排名。而大功率晶体管总量、大功率模块总量、IGBT模块总量和标准IGBT模块则排名全球第二。
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