适合频率不限
导电方式绝缘
规格不限
工作电压不限
用途范围不限
公司具有多年的销售配套经验,已具备为不同客户提供配套服务的能力。公司竭诚为各厂商,电子爱好者,科研单位,维修部门提供整机配套,批发零售服务。信誉,以客户需求为导向;为客户负责为准则、与客户共成长、共同双赢是我们公司的经营理念!
IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时,必须基于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大,故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点,因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT模块的耐过流能力与耐过压能力较差,一旦出现意外就会使它损。为此,必须但对IGBT模块进行相关保护本文从实际应用出发,总结出了过流、过压与过热保护的相关问题和各种保护方法,实用性强,应用效果好。
各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过,中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
我们始终把“客户的满意评价视为我们工作的标准”作为服务宗旨,始终坚持以客户的需求和满意为核心,从而使公司和不断发展壮大,并赢得更大的市场份额,成为行业中的者。
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