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IGBT的种类有哪些?
绝缘栅双极晶体AD795JR管根据其结构主要分为N沟道IGBT和P沟道IGBT管两大类。
IGBT的开关损耗与MOSFET相比有什么不同?
开关损耗主要包括关断时的损耗(关断损耗)和开通时的损耗(开通损耗)。在常温下,IGBT和MOSFET的关断损耗差不多。IGBT开通损耗的平均值比MOSFET咯小。MOSFET的开通损耗与温度关系不大,而对于IGBT,温度每增加100℃,损耗增加2倍。两种器件的开关损耗与电流相关,电流越大,损耗越高。
简单讲,IGBT是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。
回收英飞凌IGBT:英飞凌模块频率0-30HZ满足不同频率段的需求;英飞凌双管IGBT模块广泛应用于变频器.;电磁加热;等等工业配件及组件适合于搭建H桥及全桥逆变。
回收英飞凌IGBT:来自市场调研的数据显示,在全球电源半导体市场中,英飞凌科技以9.4%的市场份额占据榜首。其中,大功率半导体总量、大功率模块、大功率整流器、大功率晶闸管、分立及压力接触式IGBT、分立保护等产品全球排名。而大功率晶体管总量、大功率模块总量、IGBT模块总量和标准IGBT模块则排名全球第二。
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