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本公司长期回收英飞凌IGBT，回收富士IGBT，回收三菱IGBT，回收功率模块，回收个人剩余IGBT模块，回收项目多余IGBT，回收全新IGBT,收购全部型号。
回收英飞凌IGBT：英飞凌模块频率0-30HZ满足不同频率段的需求；英飞凌双管IGBT模块广泛应用于变频器.；电磁加热；等等工业配件及组件适合于搭建H桥及全桥逆变。
回收英飞凌IGBT：英飞凌IGBT具有过流、欠压保护功能，能对IGBT模块提供及时保护。实验，该驱动方法具有较高的稳定性和良好的保护功能，英飞凌模块应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 IGBT是强电流、高压应用。英飞凌模块频率0-30HZ满足不同频率段的需求；英飞凌双管IGBT模块广泛应用于变频器.；电磁加热；等等工业配件及组件适合于搭建H桥及全桥逆变。
回收英飞凌IGBT：英飞凌模块具有低饱和压降、高频率的特点。西门子 电力半导体器件广泛应用于发电、输配电、电气传动、牵引、电力系统，家用电器、新能源、汽车电子等电力电子设备中。
IGBT的种类有哪些？
绝缘栅双极晶体AD795JR管根据其结构主要分为N沟道IGBT和P沟道IGBT管两大类。
IGBT的开关损耗与MOSFET相比有什么不同？
开关损耗主要包括关断时的损耗（关断损耗）和开通时的损耗（开通损耗）。在常温下，IGBT和MOSFET的关断损耗差不多。IGBT开通损耗的平均值比MOSFET咯小。MOSFET的开通损耗与温度关系不大，而对于IGBT，温度每增加100℃，损耗增加2倍。两种器件的开关损耗与电流相关，电流越大，损耗越高。
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