适合频率不限
导电方式绝缘
规格不限
工作电压不限
用途范围不限
公司具有多年的销售配套经验，已具备为不同客户提供配套服务的能力。公司竭诚为各厂商，电子爱好者，科研单位，维修部门提供整机配套，批发零售服务。信誉，以客户需求为导向；为客户负责为准则、与客户共成长、共同双赢是我们公司的经营理念！
各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过，中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。
正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏极电流限制，其值一般取为15V左右。
我们始终把“客户的满意评价视为我们工作的标准”作为服务宗旨，始终坚持以客户的需求和满意为核心，从而使公司和不断发展壮大，并赢得更大的市场份额，成为行业中的者。
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